Fotónica

Sin embargo, la fabricación de futuros dispositivos a nanoescala resulta cada vez más difícil, a medida que la ley de Moore se acerca a su límite. Como consecuencia de los efectos como la tunelización mecánica cuántica, los científicos no pueden hacer estos dispositivos más pequeños. En cambio, mediante el estudio de diferentes materiales y tecnologías, como el apilado vertical de transistores (como en NAND en 3D), los investigadores pueden proporcionar la potencia de procesamiento necesaria para que estas aplicaciones avancen.  

Los nanomateriales para aplicaciones fotónicas adoptan la forma de películas delgadas, nanohilos, puntos cuánticos y otras estructuras de baja D. Las propiedades ópticas de estos materiales dependen del tamaño exacto, las dimensiones y la cristalinidad. Por ejemplo, los materiales cristalinos individuales normalmente presentarán pérdidas plasmónicas menores que sus equivalentes policristalinos. Esto ha impulsado la fabricación de dispositivos metálicos de un solo cristal para la plasmónica. 

Estos materiales de baja D para aplicaciones fotónicas requieren herramientas especializadas para estudiar su estructura, su química y sus propiedades físicas. Además, también se requiere una elevada precisión espacial durante su fabricación. Pero los sistemas SEM estándar tienen limitaciones, incluyendo una baja resolución a bajo kV, además de efectos de carga y daño de la muestra inducido por el haz. Y la fabricación de estructuras usando un FIB estándar de iones de Ga genera tamaños de características del orden de 50 nm, demasiado grandes como para aprovechar los efectos del confinamiento cuántico. 

Para resolver estos desafíos, usted necesita herramientas que le proporcionen una captura de imágenes de alto rendimiento por debajo de 10 nm y a bajo kV. También debe poder depositar o fabricar estructuras en las mismas escalas de longitud para aprovechar el confinamiento cuántico. ZEISS Microscopy ofrece potentes flujos de trabajo correlativos que le ayudan a crear patrones con estructuras inferiores a 10 nm con alta fidelidad, así como a captar imágenes de sus superficies con alta resolución y sin daños por el haz. STEM en SEM también le ofrece características impresionantes con una resolución de hasta 0,4 nm. Además, la tomografía STEM está disponible en SEM, cubriendo la distancia con respecto a TEM y añadiendo una nueva dimensión de facilidad de uso.