Analógico/RF, potencia, MEMS/sensores

Análisis avanzado para estructuras y materiales nuevos y complejos

Tiempo hasta la comercialización más rápido con el análisis de fallos preciso

La comunicación móvil, el Internet de las cosas (IoT), la computación en la nube y la electrificación de las industrias automovilísticas están impulsando una enorme demanda de dispositivos semiconductores «More than Moore» de alto rendimiento, que requieren la integración de nuevos materiales y procesos, o arquitecturas de silicio novedosas y tecnologías de empaquetado como sistemas microelectromecánicos (MEMS). Los materiales de banda prohibida directa y banda prohibida ancha, como el arseniuro de galio (GaAs), el carburo de silicio (SiC) y el nitruro de galio (GaN) presentan nuevos desafíos para los fabricantes de equipos y de dispositivos por igual. Muchos de estos dispositivos también integran IC tradicionales, lo cual supone un desafío para la fabricación y el embalaje.

Para acortar el ciclo de desarrollo y acelerar el tiempo hasta la comercialización en estos sofisticados dispositivos, los fabricantes necesitan herramientas de análisis avanzadas que puedan apoyar la compleja integración de nuevos materiales y el análisis de las causas fundamentales de los fallos.

Caracterización de problemas novedosos y nuevos materiales

ZEISS ha desarrollado una variedad de flujos de trabajo basados en microscopio para I+D, análisis de fallos y aseguramiento de calidad con:

El catálogo más grande de soluciones no destructivas de microscopía electrónica, óptica y de rayos X para identificar y caracterizar problemas novedosos en múltiples escalas en una amplia gama de materiales.
Soluciones de software listas para la empresa que permiten flujos de trabajo correlativos y multimodales entre colaboradores dentro de un único equipo o entre empresas en una cadena de suministro internacional.
Un equipo de expertos en óptica, electrónica y ciencia de materiales que están centrados en ofrecer soluciones avanzadas para las aplicaciones de microscopía desafiantes.

Aplicaciones analógicas/RF, potencia, MEMS/sensores

La mayor demanda de dispositivos de borde y 5G mejorados impulsa la integración de nuevos materiales, procesos y dispositivos de funcionalidades muy diferentes. Ofrecemos avanzadas soluciones de flujos de trabajo y análisis de microscopía para caracterizar defectos, estructuras e interfaces, permitiendo ciclos de desarrollo más breves y un menor tiempo hasta la comercialización.

Campo claro (BF), contraste de grosor de masa

Campo claro (BF), contraste de grosor de masa

Campo claro (BF), contraste de grosor de masa
Campo oscuro anular (ADF), contraste de grosor de masa invertido

Campo oscuro anular (ADF), contraste de grosor de masa invertido

Campo oscuro anular (ADF), contraste de grosor de masa invertido
Campo oscuro anular de alto ángulo (HAADF), contraste de número atómico

Campo oscuro anular de alto ángulo (HAADF), contraste de número atómico

Campo oscuro anular de alto ángulo (HAADF), contraste de número atómico
Campo oscuro orientado (ODF), fuerte contraste de orientación de los cristales

Campo oscuro orientado (ODF), fuerte contraste de orientación de los cristales

Campo oscuro orientado (ODF), fuerte contraste de orientación de los cristales

Laminilla adelgazada por detrás para FIB

GaN sobre Si

Imágenes de STEM a 30 kV de una laminilla adelgazada por detrás de un transistor de alta movilidad electrónica (HEMT) de GaN. Mediante el uso de diferentes segmentos del detector STEM, se pueden resaltar diferentes aspectos de la estructura de la muestra. La preparación de la laminilla y la captura de imágenes STEM se realizaron en un FIB-SEM ZEISS Crossbeam.

Sección transversal y EDX de dispositivo IGBT

Examen del borde de una puerta en un dispositivo transistor bipolar de puerta aislada (IGBT). La sección transversal y el análisis elemental EDX se realizaron en su totalidad en un FIB-SEM ZEISS Crossbeam 550. La imagen STEM-en-SEM de 30 kV de campo claro de una laminilla combinada con el trazado elemental EDX en Crossbeam reveló precipitados de Si cristalino.

Imagen de perfil dopante de MOSFET de SiC

Dispositivo SiC MOSFET dividido, captado a 1,5 kV en un FIB-SEM ZEISS Crossbeam. La imagen resalta mucho las diferentes regiones de dopaje de implante debido a la diferencia en las funciones de trabajo. La difusión de N+ se muestra como una banda oscura por debajo y extendiéndose a ambos lados de la puerta. La región del cuerpo tipo P se resalta como zona clara. La técnica proporciona información sobre la salud y la colocación de las uniones.

Captura de imágenes de rayos X en 3D a nanoescala de placa base de smartphone

Análisis en 3D de giroscopio/acelerómetro de smartphone

Reconstrucción de rayos X en 3D de estructuras de micropeine de silicio captadas con una resolución de 1 µm/vóxel.

Imagen captada con microscopio de rayos X ZEISS Xradia Versa

Vista de plano de alerones de peine finos de MEMS de acelerómetro

Imagen de alta resolución de alerón de peine fino

Vista de plano virtual del mismo análisis, que muestra los alerones de peine finos captados con una resolución de 0,3 µm/vóxel.

Imagen captada con microscopio de rayos X ZEISS Xradia Versa

Sección transversal de alerones de peine finos de MEMS de acelerómetro

Corte virtual de alerones de peine finos

Vista de plano virtual del mismo análisis, que muestra una vista detallada de alerones de peine finos de 2,1 µm captados con una resolución de 0,3 µm/vóxel.

Imagen captada con microscopio de rayos X ZEISS Xradia Versa

Análisis no destructivo desde el sistema hasta el montaje y la interconexión

Smartphone

Imagen de rayos X en 3D de un smartphone entero captado con una resolución de 50 µm/vóxel.

Imagen captada con ZEISS Xradia Context microCT

Vista de plano virtual de paquete de PMIC

Paquete de IC de gestión de potencia

Vista de plano virtual de un paquete de circuito integrado de gestión de potencia (PMIC) captado con una resolución de 11 µm/vóxel.

Imagen captada con ZEISS Xradia Context microCT

Sección transversal de interconexiones de paquete de PMIC

Sección transversal de interconexiones de PMIC

Sección transversal virtual de protuberancias de soldadura de PMIC y vías captadas a 2,1 µm/vóxel.

Imagen captada usando la capacidad única de Resolución a distancia del microscopio de rayos X ZEISS Xradia Versa

Imagen InLens de nanosondeo IC analógico

Chip analógico captado con EBAC

Un chip de recuento digital examinado con nanosondeo en un GeminiSEM a 20 kV. La imagen de la corriente absorbida del haz de electrones (EBAC) contiene información sobre la interconectividad del cableado por debajo de la superficie y las uniones p/n enterradas.

Descargas

ZEISS GeminiSEM FE-SEM Family

Perform versatile, high-resolution semiconductor imaging and characterization.

361 KB

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ZEISS Xradia Context microCT

Visualize and characterize embedded structures and defects

621 KB

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ZEISS Crossbeam Family

Your FIB-SEM for High Throughput 3D Analysis and Sample Preparation

7 MB

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Flyer: ZEISS DeepRecon Pro for Electronics and Failure Analysis

Faster 3D X-ray data acquisition and superior imaging quality for electronics failure analysis

1 MB

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ZEISS Xradia Versa Family

Complete your failure analysis workflow with high-resolution, non-destructive imaging

710 KB

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ZEISS Xradia Versa 3D X-ray Microscope

Accelerate Failure Analysis and Process Development for Next-generation Electronics

7 MB

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Campo claro (BF), contraste de grosor de masa

Campo oscuro anular (ADF), contraste de grosor de masa invertido

Campo oscuro anular de alto ángulo (HAADF), contraste de número atómico

Campo oscuro orientado (ODF), fuerte contraste de orientación de los cristales

Laminilla adelgazada por detrás para FIB

GaN sobre Si

Sección transversal y EDX de dispositivo IGBT​

Sección transversal y EDX de dispositivo IGBT​

Imagen de perfil dopante de MOSFET de SiC

Imagen de perfil dopante de MOSFET de SiC

Captura de imágenes de rayos X en 3D a nanoescala de placa base de smartphone

Análisis en 3D de giroscopio/acelerómetro de smartphone

Análisis en 3D de giroscopio/acelerómetro de smartphone

Imagen de alta resolución de alerón de peine fino