Interconnexion de puces empilées en 3D, microbilles de piliers en cuivre dissimulées à 760 µm de profondeur, coupes transversales réalisées en moins d'une heure. Laser ZEISS Crossbeam.
Applications de microscopie pour les nanomatériaux et les nanosciences

Recherche sur les semi-conducteurs et l'électronique

Pour que les dispositifs électroniques, de cybersécurité et d'informatique quantique du futur deviennent réalité

La nanotechnologie a contribué à de nombreuses avancées incroyables dans un grand nombre de secteurs, notamment l'électronique, la cybersécurité et l'informatique quantique. Pendant des années, ces progrès ont été le résultat de la loi de Moore et de la miniaturisation constante des tailles de transistors, qui ont permis de développer progressivement des dispositifs plus rapides, plus petits et plus puissants.

Cependant, la fabrication de futurs dispositifs à l'échelle nanométrique devient plus difficile à mesure que la loi de Moore approche de sa limite. En raison de certains effets tels que l'effet tunnel de la mécanique quantique, les scientifiques ne sont pas en mesure de rapetisser ces appareils. Par contre, en étudiant différents matériaux et technologies, tels que l'empilement vertical de transistors (comme dans la NAND 3D), la recherche peut fournir la puissance de traitement nécessaire pour ces applications à l'avenir.

Certains appareils ne peuvent pas être caractérisés facilement  

Si vous êtes un scientifique impliqué dans la recherche en électronique, en cybersécurité ou en informatique quantique, vous savez à quel point il est difficile d'accéder à des sites profondément enfouis dans des structures telles que la 3D NAND. Toutefois, grâce à un processus adapté impliquant l'enlèvement au laser à l'intérieur d'un FIB-SEM, vous pouvez accéder à ces régions rapidement et facilement en causant un minimum de dommages sur votre échantillon. La tomographie 3D à l'intérieur d'un FIB-SEM peut également vous aider à obtenir des informations critiques sur votre échantillon, qui ne seraient généralement pas disponibles avec des outils standard.

Dans le domaine de la cybersécurité, le défi consiste à capturer de grandes puces de processeur à haute résolution et à haute densité de pixels. Ces puces nécessitent une imagerie sur des zones massives que les solutions d'imagerie standard sont incapables de gérer. La solution consiste en un logiciel et un matériel d'imagerie sans surveillance (automatisés) pour acquérir rapidement des images de ces vastes zones. En informatique quantique, le défi consiste à développer (et à capturer) des structures inférieures à 10 nm afin de créer des emplacements vacants à des endroits très spécifiques.

Votre prochaine étape

Les solutions ZEISS Microscopy vous permettent de résoudre ces défis de recherche urgents en électronique, cybersécurité et informatique quantique. Par exemple, ZEISS MultiSEM, conçu pour un fonctionnement continu et fiable 24h/24 et 7j/7, est l'instrument MEB le plus rapide au monde. Il offre la vitesse d'acquisition de 91 faisceaux d'électrons parallèles pour capturer l'image d'échantillons à l'échelle du centimètre à une résolution nanométrique. 

La plateforme modulaire ZEISS Crossbeam FIB-SEM permet de réaliser une imagerie SEM haute performance à faible kV, combinée à un débit d'échantillons FIB élevé. Elle permet également de mettre à niveau votre FIB-SEM de manière modulaire, par exemple en installant un laser pour l'enlèvement massif de matière afin que votre microscope s'adapte au rythme des exigences de vos recherches.

Vidéos didactiques

  • LaserFIB

    Introduction d'un processus pour l'enlèvement massif de matière

  • Workflow Cut-to-ROI

    Comment préparer un échantillon MET avec assistance par laser


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Téléchargements

  • Achieving Nano-scaled EDS Analysis in an SEM

    with a Detector for Transmission Scanning Electron Microscop

    863 KB
  • Voltage Contrast in Microelectronic Engineering

    1 MB
  • ZEISS GeminiSEM 500

    Nanometer scale EDS Analysis using Low-kV FE-SEM and Windowless EDS Detector

    1 MB