低维材料

由于量子限制效应，上述低维材料会表现出其块体材料所不具备的新特性。因此，低电压下的高性能成像并非唯一要求，还需要能够在越来越小的长度（通常低于10 - 20 nm）上沉积材料。例如，对于石墨烯基器件，如果要利用量子限制，通常需要具有低于20 nm的特征尺寸。这意味着您需要在此长度上对欧姆触点进行图案化，然后才能测试器件。 

另一个挑战是制造具有高图案化密度的结构。由于邻近效应和沉积晕圈，射束化学限制了密度，标准FIB-SEM工具难以实现这一目标。而凭借亚10 nm制造能力，合适的设备可提高图案化密度。 

最后，在创建感兴趣区域的综合多尺度和多模态三维图像方面也一直面临困难，而当涉及到纳米粒子等低维材料时更是如此。但如果可靠地进行，这种分析可为您提供有关样品的宝贵信息。

蔡司显微技术解决方案使您能够解决电子学、网络安全和量子计算研究中面临的紧迫挑战。例如，专为全天候连续可靠运行而设计的蔡司MultiSEM就是全球范围内最快的SEM设备之一。其提供多达91条并行电子束的采集速度，能够以纳米分辨率对厘米级样品进行成像。单击此处了解更多信息。

蔡司Crossbeam FIB-SEM模块化平台可在低电压下结合高FIB样品通量进行高性能SEM成像。您还能通过安装用于大规模材料切割的激光器等模块化方式升级FIB-SEM，从而让您的显微镜得以满足您的研究需求。