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对复杂新材料和结构进行高级分析
通过准确的失效分析加快上市
移动通信、物联网(IoT)、云计算和汽车行业电气化致使对高性能“超摩尔”半导体器件的需求与日俱增,其需要集成新材料和工艺,或新型硅架构和封装技术,例如微机电系统(MEMS)。砷化镓(GaAs)、碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)等直接带隙和宽带隙材料对设备制造商和器件装配商等提出了新的挑战。其中许多器件还集成了传统IC,给装配和封装带来了困难。
为了缩短这些复杂器件的开发周期并加快上市,制造商需要先进的分析工具来支持复杂的新材料集成和失效根本原因分析。
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IGBT器件的截面和EDS
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IGBT器件的截面和EDS
绝缘栅双极晶体管(IGBT)器件栅极边缘检查。截面和EDS元素分析全部在蔡司Crossbeam 550 FIB-SEM上完成。薄片的明场30 kV STEM-in-SEM图像与Crossbeam中的EDS元素面分布成像相结合,揭示了晶体硅沉淀物。
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碳化硅MOSFET掺杂分布图
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碳化硅MOSFET掺杂分布图
裂解碳化硅MOSFET器件,使用蔡司Crossbeam FIB-SEM在1.5 kV电压下成像。由于功函数的差异,该图像明显突出了不同的注入掺杂区域。N+扩散显示为下方的暗带,并延伸至栅极的任一侧。P型主体掺杂区突出显示为亮区。此技术提供有关结点健康状况和布置的反馈。
智能手机主板的纳米级三维X射线成像
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智能手机陀螺仪/加速度计的三维分析
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智能手机陀螺仪/加速度计的三维分析
硅微梳结构的三维X射线重构,以1 µm/体素的分辨率成像。
使用蔡司Xradia Versa X射线显微镜成像
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精细梳状鳍片的高分辨率图像
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精细梳状鳍片的高分辨率图像
来自同一分析的虚拟平面图,显示了以0.3 µm/体素的分辨率成像的精细梳状鳍片。
使用蔡司Xradia Versa X射线显微镜成像
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精细梳状鳍片的虚拟切片
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精细梳状鳍片的虚拟切片
同一样品的虚拟截面,显示了2.1 µm精细梳状鳍片的详细视图,以0.3 µm/体素的分辨率成像。
使用蔡司Xradia Versa X射线显微镜成像
从系统到封装再到互连的无损分析
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智能手机
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智能手机
完整智能手机的三维X射线图,以50 µm/体素的分辨率成像。
使用蔡司Xradia Context microCT成像
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功率管理IC封装
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功率管理IC封装
功率管理集成电路(PMIC)封装的虚拟平面图,以11 µm/体素的分辨率成像。
使用蔡司Xradia Context microCT成像
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PMIC互连
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PMIC互连截面
PMIC焊料凸块和通孔的虚拟截面,以2.1 µm/体素的分辨率成像。
使用蔡司Xradia Versa X射线显微镜的远距离高分辨率功能成像
模拟芯片,使用EBAC成像
数字计数芯片,使用GeminiSEM在20 kV电压下进行纳米探测检查。电子束吸收电流(EBAC)图像包含有关亚表面布线与掩埋p/n结之间互连性的信息。