半导体器件开发和失效分析

7 nm SRAM的三维FIB-SEM断层扫描数据集，使用蔡司Crossbeam FIB-SEM成像。
体积大小：2.34 × 1.18 × 2.35 µm³，体素大小（15 nm）³。

所得重构允许查看多个截面平面，以发现缺陷或评估过程的均匀性。

接触层7 nm技术节点处理器的平面视图薄片的30kV STEM明场预览图。薄片制备和STEM成像使用蔡司Crossbeam FIB-SEM完成。

插入图：高放大倍率的STEM明场图像详细显示了FinFET，并允许评估工艺变化。

机械抛光7nm SRAM的相同观察视野，使用GeminiSEM FE-SEM在1 kV电压下成像。

左：
Inlens图像提供了表面细节，并突出显示了SRAM结构中不同类型触点之间的无源电压衬度。

右：
SenseBSD图像提供了Z轴衬度和形貌衬度。

14 nm SRAM中的净迹线，使用GeminiSEM FE-SEM通过电子束吸收电流（EBAC）方法成像。图像为在2 kV电压（左）和8 kV电压（右）下，对于相同的观察视野，EBAC数据（红色）在InLens图像之上的叠加。不同的加速电位可探索样品中的不同深度，从而追踪完整的连接路径。  

左：2 kV
   右：8 kV

22 nm SRAM机械抛光至接触层。样品中特意创建了一处短路。使用来自GeminiSEM FE-SEM的稳定电子束，然后使用电子束感应电阻变化（EBIRCH）技术对样品进行成像，在分析过程中只有12 nA流过器件。对双鳍下拉器件中的两个鳍都进行了成像。